发明名称 |
一种陶瓷基覆铜板的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制造方法,所述方法包括:陶瓷基板清洗、离子束清洗活化、金属离子注入、真空镀膜、电镀增厚铜膜,真空镀膜根据产品的要求,可采用两种膜系:①金属沉积层/铜沉积层;②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层。本发明的生产效率高、质量稳定、成本低,制造的陶瓷基覆铜板具有孔隙率低、热导率高、剥离强度高、稳定性好等特点。 |
申请公布号 |
CN105152689A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510346890.6 |
申请日期 |
2015.06.23 |
申请人 |
核工业西南物理研究院;武汉光谷创元电子有限公司 |
发明人 |
祝土富;但敏;金凡亚;沈丽如;童洪辉;谢新林;高明智;杨念群 |
分类号 |
C04B41/90(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/90(2006.01)I |
代理机构 |
核工业专利中心 11007 |
代理人 |
高尚梅 |
主权项 |
一种陶瓷基覆铜板的制造方法,其特征在于包括以下工序:(1)陶瓷基板清洗;(2)陶瓷基板的离子束清洗活化;(3)陶瓷基板的金属离子注入;(4)陶瓷基板的真空镀膜;(5)电镀增厚铜膜。 |
地址 |
610041 四川省成都市武侯区二环路南三段3号 |