| 发明名称 | 一种硅片的预处理方法、硅片和太阳能电池片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片的预处理方法、硅片和太阳能电池片，该方法包括：在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞。本发明的方案，可以克服现有技术中载流子传输距离远、捕获面积小和转换效率低等缺陷，实现载流子传输距离短、捕获面积大和转换效率高的有益效果。 | ||
| 申请公布号 | CN105161575A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510636278.2 | 申请日期 | 2015.09.30 |
| 申请人 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 | 发明人 | 高文秀;李帅;赵百通 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人 | 姜万林 |
| 主权项 | 一种硅片的预处理方法，其特征在于，包括：在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市宜兴经济开发区创业园二期A3座 | ||