| 主权项 |
1.一种磁场局限装置,可防止融熔金属从两个水平分隔之构件间之垂直延伸间隙单开漏出并将融熔金属固定其中;该装置包含:传导电流之非磁性导电线圈,邻接于间隙单开以直接产生水平磁场延伸入该间隙单开及对间隙内之融熔金属产生局限压力;该线圈相当靠近间隙单开以使磁场大体上局限于间隙单开;该线圈包含一个相当接近间隙单开之前置线圈部以及一个远离间隙单开之后置线圈部;该前置线圈部包含一个面对间隙单开之前置面部份以及将流入前置线圈部之电流大体上滙集在前置线圈部之表面之滙集电流装置,其中该滙集电流装置包含:置于前置线圈部上之许多垂直间隔之凸片状结构,向后延伸而超越该面并从表面部份之每边横向地延伸出去;每一凸状结构具有凸片表面。2.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,其中该线圈适以既定频率之电流操作之,而且其中:一部份电流流入该凸片状结构中;而且该凸片状结构之厚度够大足使流入凸片状结构之既定频率电流大体上沿着该凸片表面流动。3.根据申请专利范围第2项之磁场局限装置,其中:该凸片状结构之厚度大体上均超过于既定频率操作下之线圈材料之集肤深度之4倍。4.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,其中:该前置线圈部具有一前一至一后之厚度;每对相邻凸片状结构以具有垂直面之平面隔层垂直地隔开;而且该垂直面之厚度介于该前置线圈部之前一至一后厚度之约50及约100分率。5.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,其中:每一凸片状结构包括第一及第二部份,置于表面部份之两对侧;而且第一及第二部份二者之表面部份朝前延伸至该水平分隔之滚子之一。6.一种融熔金属连续铸造系统,与根据申请专利范围第5项所述之磁场局限装置相组合,包含:由水平放置构件定出之一个每端各有单开之垂直延伸间隙;每一水平分隔滚子具有一对相对端面及从每端面延伸出之环状唇;每一个唇定出一个具有向外开口及相对唇延伸出之端面之内面之环状凹形环。7.根据申请专利范围第6项之连续铸造系统,其中:第一及第二向前延伸部份二者穿过其向外开口而延伸入各别之环形凹部。8.根据申请专利范围第6项之连续铸造系统,其中:每一环形唇均由非磁性材料构成。9.根据申请专利范围第6项之连续铸造系统,其中每一水平分隔之滚子包含:一个置于滚子端面上之非磁性环状圆盘并且大致上覆盖住端面。10.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置并包含:一种导电屏蔽组合装置将磁场大致局限在间隙单开及表面之间之区域。11.根据申请专利范围第10项之磁场局限装置,其中:以导电屏蔽组成后置线圈部。12.根据申请专利范围第11项之磁场局限装置,其中:导电屏蔽规范之空穴内部含有前置线圈部;而且前置线圈部之表面部份曝入空穴内之向前开部。13.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,其可防止融熔钢漏出,其中之线圈系由铜或铜基合金组成。14.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,包含:一装置,所含之前置线圈部之表面部份形状系为增强与随着间隙内融熔金属之静压力增加而增加之磁场强度有关之磁压力。15.根据申请专利范围第14项之磁场局限装置,其中:前置线圈部之表面部份之横向宽度随着前置线圈部之垂直表面向下延伸而窄缩并与间隙单开之宽度窄缩一致,因此,电流导入线圈后则表面部份之电流密度随着表面部份宽度递减而增加。16.根据申请专利范围第15项之磁场局限装置,其中:前置线圈部之表面部份之形状大致与间隙单开之形状相符。17.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,其中两水平分隔构件为具有平行转轴之转动滚子而且周边侧端所定出之间隙单开其中:前置线圈部面向间隙单开;而且后置线圈部包含之磁场局限装置位于前置线圈背后而且较前置线圈部更远离间隙单开。18.根据申请专利范围第17项之磁场局限装置,其中:前置线圈部具有一对侧壁层及一后壁层,两者从前置线圈部之上端及下端间延伸开。19.根据申请专利范围第17项之磁场局限装置,其中:线圈包含接连前置线圈部及邻近一端面之后置线圈部之导电装置。20.根据申请专利范围第19项之磁场局限装置,其中:接连装置包含了后置线圈部之底部;底部与前置线圈部合成一体。21.根据申请专利范围第17项之磁场局限装置,其中:前置线圈部中至少有一中空内部构成冷却液体之循环通道。22.根据申请专利范围第1项之磁场局限装置,其中:前置线圈部包含上部及下部;下部有一对相对侧面以及远离间隙单开之面向后方之表面;上及下部各有一面向前方之表面;上及下部之面向前方之表面相接触而且共平面并定出一个连续面;连续面组成前置线圈部之表面部份。23.根据申请专利范围第22项之磁场局限装置,其中该滙集电流装置包含:许多凸片状结构由相对侧面及下部之面向后方之表面向外延伸出来。24.根据申请专利范围第23项之磁场局限装置,其中:凸片状结构包含置于前置线圈部之下部上之平面构件并且由间隙单开延伸开来。25.根据申请专利范围第23项之磁场局限装置,其中:凸片状结构与前置线圈部合成一体。26.根据申请专利范围第23项之磁场局限装置,其中:间隙最窄处为水平分隔构件最靠近处;装置邻接间隙单开使凸片状结构分置于间隙最窄处之上及下方。27.根据申请专利范围第23项之磁场局限装置并且包含:磁性材料构成之装置,置于相邻凸片状结构之间。28.根据申请专利范围第27项之磁场局限装置,其中:磁性材料构成之装置包含很多磁性材料;而且每块磁性材料均置于同一平面并由气隙隔开。29.一种融熔金属连续铸造系统,与根据申请专利范围第1项所述之磁场局限装置相组合,包含:定出一垂直延伸间隙之两平行放置之构件;侧间隙每边均有单开;磁场局限装置大都紧邻间隙单开。30一种磁场局限方法,可防止融熔金属由两平行分隔构件间之垂直延伸间隙单开漏出并使融熔金属固定其中,该方法包含步骤:备好一个导电线圈,至少含有一前置线圈部及一后置线圈部,邻接间隙单开,其前置线圈部之前置面部份面对间隙单开;电流导入线圈后产生之水平磁场延伸至间隙单开穿入融熔金属而对间隙内之融熔金属产生局限压力;藉由很多垂直隔开之凸片状结构使电流滙集在前置面部份,该结构具有凸片表面而且置于前置线圈部上,朝后方向外延伸过前置面部份并由前置面部份各边上朝外横向延伸出以及将磁场大致局限于间隙单开。31.根据申请专利范围第30项之方法,包含:增强与随间隙内融熔金属之静压力增加而增加之磁场有关之磁压力。32.根据申请专利范围第30项之方法,包含:藉以磁性材料置入相邻,垂直分隔之凸片状结构之空隙以使空隙内之磁通量分布达到最大。33.根据申请专利范围第32项之方法,其中:磁性材料包含许多块磁性材料,每块磁性材料置于同一平面并藉一气隙将磁性材料块隔离。34.根据申请专利范围第30项之方法,其中该前置线圈部具有一对侧面部份,各位于前置面部份之相对侧,以及位于前置面部份背后之一后置面部份,该方法包含:使用既定频率电流;并且使用之凸片状结构之厚度确使导入凸片状结构之既定频率电流大致地延着凸片表面流动。35.根据申请专利范围第30项之方法,包含:使用之凸片状结构之厚度大致上为导入既定频率电流之线圈之构成材料之集肤深度之4倍。图1所示系根据本发明之一种具体实施例之一种装置之平面图,其具有一对连续板材料铸造机所用之滚子;图2系为图1中之装置和滚子之端视图;图3系为图1中之装置和滚子之侧视图;图4系为装置之透视图;图5系为部份装置之前视图;图6系为图4中沿6-6线所取之截面图;图7系为图5中沿7-7线所取之片断截面图;图8系为装置之后透视图,部份切开;图9系为使说明清楚去除装置之其他部份后之部份装置之片断,切开之透视图;图10系为使说明清楚去除前置线圈部之部份后之装置之前置线圈部之片断透视图;图11系为图6中沿11-线所取之截面图;图12系为另一具体实施例之装置之部份片断透视图;图13系为图12中沿13-线所取之截面图;图14系为图12中沿14-线所取之截面图;图15系为另一具体实施例之装置之透视图;图16系为图15所示之具有一对连续板材铸造机用之滚轮之具体实施例之部份平面图;图17系为图15中除去部份后置线圈后,沿17-线所取 |
