发明名称 | 用于3DIC测试的结构设计 | ||
摘要 | 一种工件,包括:第一含铜柱,该第一含铜柱具有顶面和侧壁;第一保护层,该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方;测试焊盘,该测试焊盘包括第二含铜柱,该第二含铜柱具有顶面和侧壁,该测试焊盘电连接至第一含铜柱;以及第二保护层,该第二保护层被设置在第二含铜柱的侧壁上,而不设置在第二含铜柱的顶面上方,第一保护层和第二保护层包含铜和聚合物的化合物,并且是介电层。本发明还提供了用于3DIC测试的结构设计。 | ||
申请公布号 | CN103035618B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
申请号 | CN201210032013.8 | 申请日期 | 2012.02.13 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊成;蔡柏豪 |
分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
主权项 | 一种集成电路器件,包括:第一工件,包括:第一含铜柱,具有顶面和侧壁;第一保护层,位于所述第一含铜柱的侧壁上而不位于所述第一含铜柱的顶面上方;测试焊盘,包括第二含铜柱,所述第二含铜柱具有顶面和侧壁,其中所述测试焊盘电连接至所述第一含铜柱;以及第二保护层,位于所述第二含铜柱的侧壁上,而不位于所述第二含铜柱的顶面上方,其中,所述第一保护层和所述第二保护层包含铜和聚合物的化合物,并且其中,所述第一保护层和所述第二保护层是介电层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |