| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置，属于显示装置领域。所述薄膜晶体管制作方法，包括：提供一基板；在所述基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、非晶硅材料有源层和盖帽层，所述盖帽层在远离所述非晶硅材料有源层的一面上形成有图案，所述图案由至少一条沿所述有源层的长度方向的凹槽和至少一条沿所述有源层的宽度方向的凹槽构成；对所述非晶硅材料有源层进行激光退火处理，使所述非晶硅材料有源层转化为低温多晶硅材料有源层；除去所述盖帽层。 | ||
| 申请公布号 | CN105161498A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510479312.X | 申请日期 | 2015.08.03 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王祖强;杨玉清 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 徐立 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板；在所述基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、非晶硅材料有源层和盖帽层，所述盖帽层在远离所述非晶硅材料有源层的一面上形成有图案，所述图案由至少一条沿所述有源层的长度方向的凹槽和至少一条沿所述有源层的宽度方向的凹槽构成；对所述非晶硅材料有源层进行激光退火处理，使所述非晶硅材料有源层转化为低温多晶硅材料有源层；除去所述盖帽层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||