| 发明名称 | 离子束清洗刻蚀设备 | ||
| 摘要 | 本实用新型属于材料表面处理技术领域，具体涉及一种离子束清洗刻蚀设备，包括用供气单元，以及电离室，所述供气单元通过气孔与电离室连通，所述气孔为多个沿基片长度方向间隔布置，电离室中段的气孔布设密度小于两端的气孔布设密度；本实用新型采用了补偿式气路设计两端气孔的密度大于中心气孔密度，使两端的气压大于中心位置的气压，更多的高能离子分布在两端的位置，以提高基片两端部位被离子撞击清洗的几率，有效地补偿了清洗速率不均，解决了中间快，两端慢的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN204874748U | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201520435247.6 | 申请日期 | 2015.06.24 |
| 申请人 | 安徽纯源镀膜科技有限公司 | 发明人 | 张心凤;郑杰;尹辉 |
| 分类号 | C23F4/00(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | C23F4/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种离子束清洗刻蚀设备，包括用于供应惰性气体的供气单元，以及用于将惰性气体从原子状态转变为高能离子状态的电离室(10)，所述电离室(10)置于真空环境中；所述供气单元通过气孔(21)与电离室(10)连通，所述电离室(10)上设有供高能离子喷出的喷射口，所述喷射口正对基片(30)设置，且喷射口沿基片(30)的长度方向连续布置，其特征在于：所述气孔(21)为多个沿基片(30)长度方向间隔布置，且在基片(30)长度方向上，电离室(10)中段的气孔(21)布设密度小于两端的气孔(21)布设密度。 | ||
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1709室 | ||