具有自适应性的场截止电流控制型功率器件

摘要

本实用新型涉及半导体器件领域，具体为具有自适应性的场截止电流控制型功率器件，包括金属导电层，金属导电层的一侧设置有衬底或衬底外延层，衬底或衬底外延层上设置有多个沟槽，衬底或衬底外延层的一侧设置有电流控制型功率器件的正面结构，沟槽一侧的金属导电层上设置有电位V端；金属导电层与衬底或衬底外延层之间还有背面重掺杂区，各沟槽内设置有沟槽导电填充物，在沟槽侧壁和沟槽底部设置有绝缘层，各沟槽之间形成感应电荷浓度增强区。本实用新型在传统电流控制型器件中引入了场截止技术，解决了在更薄的芯片上实现更高耐压的问题。通过器件结构设计来实现场截止，摆脱了现有技术所固有的扩散深度有限、高温过程影响器件其他结构及工艺受限等缺点。

主权项

具有自适应性的场截止电流控制型功率器件，其特征在于：包括金属导电层（101），所述金属导电层（101）的一侧设置有衬底或衬底外延层（100），所述衬底或衬底外延层（100）上设置有多个沟槽，所述衬底或衬底外延层（100）的一侧设置有电流控制型功率器件的正面结构（105），沟槽一侧的金属导电层（101）上设置有电位V端；所述金属导电层（101）与衬底或衬底外延层（100）之间还有背面重掺杂区（106），各沟槽内设置有沟槽导电填充物（102），在沟槽侧壁和沟槽底部（1031）设置有绝缘层（103），各沟槽之间形成感应电荷浓度增强区（104）。