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发明名称
用于在低功率奈米快闪记忆体装置中使用之改良型感测电路;IMPROVED SENSING CIRCUITS FOR USE IN LOW POWER NANOMETER FLASH MEMORY DEVICES
摘要
本发明揭示用于在低功率奈米快闪记忆体装置中使用之改良型感测电路。
申请公布号
TW201546811
申请公布日期
2015.12.16
申请号
TW104106660
申请日期
2015.03.03
申请人
超捷公司 SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人
陈 晓万 TRAN, HIEU VAN;阮 雄国 NGUYEN, HUNG QUOC;李 英 LY, ANH;武 顺 VU, THUAN
分类号
G11C16/28(2006.01);G11C7/06(2006.01)
主分类号
G11C16/28(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群陈文郎
主权项
地址
美国 US
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