薄膜晶体管、其制造方法和有机发光二极管显示器装置

摘要

本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区，所述沟道区包括多晶硅层；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接，布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中的金属硅化物；其中所述沟道区的所述多晶硅层仅包括小角度晶界，而大角度晶界布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中，其中所述沟道区位于所述金属硅化物和所述大角度晶界之间；其中所述小角度晶界是自金属硅化物的籽晶延伸的晶粒之间的边界，所述金属硅化物以1μm～100μm的间距布置；其中所述小角度晶界在与电流流过所述沟道区的方向相同的方向上延伸，且所述大角度晶界在与所述电流流过所述沟道区的方向垂直的方向上延伸。