| 主权项 |
一种半导体器件，包括：天线开关，包括发送端子、天线端子和接收端子，其中所述天线开关包括：(a)在所述发送端子与所述天线端子之间串联耦合的多个第一场效应晶体管；(b)在所述接收端子与所述天线端子之间串联耦合的多个第二场效应晶体管；(c)在所述发送端子与GND端子之间串联耦合的多个第三场效应晶体管；以及(d)在所述接收端子与所述GND端子之间耦合的第四场效应晶体管，并且其中在所述第三场效应晶体管中，在表明在关断的所述第三场效应晶体管的源极区域与漏极区域之间的电容的关断电容方面，至少耦合到所述发送端子的所述第三场效应晶体管大于耦合到所述GND端子的所述第三场效应晶体管，其中在所述第三场效应晶体管中，各自表明在关断的所述第三场效应晶体管的源极区域与漏极区域之间的电容的所述关断电容从与接近所述GND端子的一侧耦合的所述第三场效应晶体管到与接近所述发送端子的一侧耦合的所述第三场效应晶体管逐渐增加，其中在所述第三场效应晶体管中，各所述第三场效应晶体管的栅极宽度从与接近所述GND端子的一侧耦合的所述第三场效应晶体管到与接近所述发送端子的一侧耦合的所述第三场效应晶体管逐渐增加，其中各所述第三场效应晶体管的栅极电极包括指状物结构，在所述指状物结构中以各线段式指状物为单位，所述指状物以复数形式布置于与其线段相交的方向上，并且所述指状物相互电耦合，其中各所述第三场效应晶体管的栅极宽度由作为单位的所述指状物的指状物长度和所述指状物的数目限定，并且其中在所述第三场效应晶体管中，通过在使使所述指状物的指状物长度恒定的同时改变所述指状物的数目，各所述第三场效应晶体管的栅极宽度从与接近所述GND端子的一侧耦合的所述第三场效应晶体管到与接近所述发送端子的一侧耦合的所述第三场效应晶体管逐渐增加。 |
