发明名称 |
一种类金刚石膜玻璃的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种类金刚石膜玻璃的制备方法,属于玻璃镀膜技术领域。为了解决现有的结合力差和硬度低的问题,提供一咱类金刚石膜玻璃的制备方法,包括将玻璃基片装夹后放入镀膜腔室内,镀膜腔室抽真空后,再通入氩气使生成等离子体,进行等离子清洗;清洗结束后,关闭氩气,将镀膜腔室重新抽真空,然后再通往氩气,同时打开碳靶发射源,并开启脉冲直流电源使产生等离子体,使沉积类金刚石膜;所述类金刚石膜为高sp<sup>2</sup>键含量类金刚石膜与低sp<sup>2</sup>键含量类金刚石膜交替沉积而成;沉积结束后,再在其表面上沉积AF膜,得到类金刚石膜玻璃。本发明的方法得到的产品既具有较好的结合力,又具有高耐划伤性和高耐磨性和防指纹和防尘效果及不导电性。 |
申请公布号 |
CN105152548A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510519471.8 |
申请日期 |
2015.08.21 |
申请人 |
浙江星星瑞金科技股份有限公司 |
发明人 |
王先玉;夏永光 |
分类号 |
C03C17/34(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/34(2006.01)I |
代理机构 |
台州市方圆专利事务所 33107 |
代理人 |
孙圣贵 |
主权项 |
一种类金刚石膜玻璃的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:A、将玻璃基片装夹后放入真空镀膜机的镀膜腔室内,进行下一步镀膜;B、将镀膜腔室进行抽真空后,再通入氩气使生成等离子体,进行等离子清洗;C、等离子清洗结束后,关闭氩气,将镀膜腔室重新抽真空,然后再通入氩气,同时打开碳靶发射源,并开启脉冲直流电源使产生等离子体,从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜;所述类金刚石膜为高sp<sup>2</sup>键含量类金刚石膜与低sp<sup>2</sup>键含量类金刚石膜交替沉积而成;D、类金刚石膜沉积结束后,再在类金刚石膜表面上沉积AF膜,得到相应的类金刚石膜玻璃。 |
地址 |
318015 浙江省台州市椒江区洪家星星电子产业基地4号楼 |