发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶面板 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板,包括阵列设置于一玻璃基板上的多个薄膜晶体管,每一薄膜晶体管包括:形成于玻璃基板上的栅电极、覆设于栅电极上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的有源层以及形成于有源层上的源电极和漏电极,其中,所述源电极和漏电极在第一方向上相互间隔,所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域为沟道区;其中,所述栅极绝缘层朝向所述有源层的一面,至少对应于所述沟道区的部分具有多个凸起结构,形成具有多个沟槽的褶皱表面;所述有源层朝向所述栅极绝缘层的一面与所述栅极绝缘层的表面完全齿合。本发明还公开了如上所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法以及包含该薄膜晶体管阵列基板的液晶面板。 |
申请公布号 |
CN105161542A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510475246.9 |
申请日期 |
2015.08.06 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
武岳;李珊;雍玮娜 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 |
代理人 |
孙伟峰;黄进 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板,包括阵列设置于一玻璃基板上的多个薄膜晶体管,每一薄膜晶体管包括:形成于所述玻璃基板上的栅电极、覆设于所述栅电极上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的有源层以及形成于所述有源层上的源电极和漏电极,其中,所述源电极和漏电极在第一方向上相互间隔,所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域为沟道区;其特征在于,所述栅极绝缘层朝向所述有源层的一面,至少对应于所述沟道区的部分具有多个凸起结构,形成具有多个沟槽的褶皱表面;所述有源层朝向所述栅极绝缘层的一面与所述栅极绝缘层的表面完全齿合。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |