发明名称 |
多侧包覆的晶圆级半导体封装构造 |
摘要 |
本实用新型揭示一种多侧包覆的晶圆级半导体封装构造,包含一芯片主体、复数个凸块、一压模胶层以及一背胶层。芯片主体具有一主动面、一背面以及复数个在该主动面上的接垫。接垫以一重配置线路层连接,主动面上形成有一晶圆保护层,以覆盖重配置线路层,晶圆保护层在主动面角隅处具有复数个内缩角隅切缘。凸块设置于接垫上。压模胶层形成于晶圆保护层上并包覆内缩角隅切缘,并且压模胶层局部密封凸块。背胶层形成于背面上。本实用新型解决芯片在主动面角隅处晶圆保护层剥离的问题,借以提高封装产品的可靠度。 |
申请公布号 |
CN204885133U |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201520625541.3 |
申请日期 |
2015.08.19 |
申请人 |
力成科技股份有限公司 |
发明人 |
詹易霖;戴宏德;赖政斌;许中信;林子晖;曾生斗 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 |
代理人 |
马廷昭 |
主权项 |
一种多侧包覆的晶圆级半导体封装构造,其特征在于,其包含: 一芯片主体,其具有一主动面、一背面以及复数个在该主动面上的接垫,该些接垫以一重配置线路层连接,该主动面上形成有一晶圆保护层,以覆盖该重配置线路层,该晶圆保护层在该主动面角隅处具有复数个内缩角隅切缘; 复数个凸块,设置于该些接垫上; 一压模胶层,形成于该晶圆保护层上并包覆该些内缩角隅切缘,并且该压模胶层局部密封该些凸块;以及 一背胶层,形成于该背面上。 |
地址 |
中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |