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经营范围
发明名称
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
本发明的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的半导体装置。本发明的一个方式是具有电阻元件的半导体装置。电阻元件具有电晶体。在电晶体的汲极电压高于闸极电压与临界电压之差值的情况下,电晶体的汲极电压变化0.1V时的汲极电流的增高率较佳为1%以上。另外,本发明的一个方式的半导体装置具有生成相应于电阻元件的电阻值的电压的功能。
申请公布号
TW201547000
申请公布日期
2015.12.16
申请号
TW104115119
申请日期
2015.05.12
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人
热海知昭 ATSUMI, TOMOAKI;小林由幸 KOBAYASHI, YOSHIYUKI;塩野入豊 SHIONOIRI, YUTAKA;八洼裕人 YAKUBO, YUTO;长塚修平 NAGATSUKA, SHUHEI;山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
分类号
H01L27/02(2006.01);G05F3/02(2006.01);G05F3/16(2006.01);G05F3/26(2006.01);G05F3/28(2006.01)
主分类号
H01L27/02(2006.01)
代理机构
代理人
林怡芳童启哲
主权项
地址
日本 JP
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