发明名称 封装结构及其制法;SUBSTRATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
摘要 一种封装结构,系包括:具有第一及第二导接部之第一基材、以及具有第三及第四导接部之第二基材,该第一导接部之端位高于该第二导接部之端位,且该第四导接部之端位高于该第三导接部之端位,令该第一与第三导接部相对接,且该第二与第四导接部相对接,使该第一基材堆叠于该第二基材上。故藉由互补方式进行对接,使该第一与第三导接部之结合处之高度位置不同于该第二与第四导接部之结合处之高度位置,以避免各接点间发生桥接。本发明复提供该封装结构之制法。
申请公布号 TW201546982 申请公布日期 2015.12.16
申请号 TW103120145 申请日期 2014.06.11
申请人 矽品精密工业股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 发明人 蔡国清 TSAI, KUO CHING;张仕育 CHANG, SHIH YU;李健伟 LEE, CHIEN WEI;黄富堂 HUANG, FU TANG
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项
地址 台中市潭子区大丰路3段123号 TW