用于改良互连性能之保护通孔盖;PROTECTIVE VIA CAP FOR IMPROVED INTERCONNECT PERFORMANCE

摘要

形成半导体结构的示例性方法可包括蚀刻通孔以贯穿半导体结构而暴露出第一电路层互连金属。该方法可包括在该暴露的第一电路层互连金属上形成材料层。该方法亦包括在该通孔内形成阻障层且在沿着该通孔的底部具有最少覆盖物。该方法附加包括在该材料层上形成第二电路层互连金属。