发明名称 |
热电偶支撑体、基板处理装置、温度检测方法及半导体装置之制造方法 |
摘要 |
本发明系可缩短截至开始热处理为止之待机时间。;本发明的基板处理装置,系具备有:反应管、加热部、保护管、绝缘管、热电偶、气体供应部、以及排气部。该反应管系将保持复数片基板的基板保持具加以收容,且对保持于上述基板保持具上的基板进行处理。该加热部系设置于上述反应管的外部,且对上述反应管内进行加热。该保护管系以抵接于上述反应管外壁且朝铅直方向延伸之方式加以设置。该绝缘管系配置于上述保护管内且具有朝铅直方向延伸的贯通孔。该热电偶系于上端具有热电偶接合部,且热电偶素线插通于上述绝缘管的贯通孔中。该气体供应部系将对收容于上述反应管内之基板进行处理之气体,供应至上述反应管内。该排气部系从上述反应管内将气体予以排出。 |
申请公布号 |
TW201546905 |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
TW104129332 |
申请日期 |
2013.09.09 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. |
发明人 |
山口英人 YAMAGUCHI, HIDETO;小杉哲也 KOSUGI, TETSUYA;上野正昭 UENO, MASAAKI |
分类号 |
H01L21/324(2006.01);F27D19/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣宿希成 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |