电浆处理装置、薄膜电晶体之制造方法及记忆媒体

摘要

提供一种可在薄膜电晶体之制造工程中，一边抑制侵蚀之发生，一边将包含有铝之电极图案化的电浆处理装置。电浆处理装置(2)，系对形成有薄膜电晶体(4a、4b)的基板(F)执行电浆处理，进行前述电浆处理的处理容器(21)，系具备载置有基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)，系进行处理容器(21)内之真空排气，且从氢气供给部(262)供给作为电浆产生用气体的氢气。电浆产生部(24)，系将前述电浆产生用气体电浆化，在包含有铝之金属膜的上层侧，形成有已被图案化之光阻膜，且藉由包含有氯的蚀刻气体，来进行前述金属膜被蚀刻处理之基板的处理。