空白遮罩、相位移转遮罩之制造方法、相位移转遮罩、以及半导体元件之制造方法（二）;MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING A PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

一种空白遮罩，系具有于透光性基板上自该透光性基板侧起依序积层有遮光膜以及硬遮罩膜之构造者；该硬遮罩膜系由含有选自矽以及钽中至少1以上之元素的材料所形成；该遮光膜系由含铬之材料所形成，具有自该透光性基板侧起依序积层有下层、中间层以及上层之3层的构造；该上层之铬含有量在该遮光膜之中最少；该中间层之铬含有量在该遮光膜之中最多，且含有选自铟、锡以及钼中至少1以上之金属元素。