半导体装置及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；一绝缘埋层，形成于该基底内；至少一深沟渠绝缘结构，形成于该绝缘埋层上；以及一深沟渠接触结构，形成于所述这些深沟渠绝缘结构之间，且该深沟渠接触结构与于位于该绝缘埋层下的该基底电性连接。包含未掺杂的多晶硅的绝缘材料，其可缓冲由于外延层与包含氧化物的衬垫层彼此之间的晶格差异度大，而在接合界面处产生的应力，因此能够提升元件的稳定性及其功效。深沟渠接触结构可利用形成与元件电性连接的接触插塞的工艺予以形成，因此深沟渠接触结构可与接触插塞以相同的工艺同时形成，而不需要进行额外的工艺步骤，因此能达到降低成本的目的。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基底；导体埋层，形成于所述基底中；一绝缘埋层，形成于所述导体埋层上；外延层，形成于所述绝缘埋层上；至少两个深沟渠绝缘结构，形成于所述绝缘埋层上，并位于所述外延层中；以及一深沟渠接触结构，形成于所述至少两个深沟渠绝缘结构之间，且所述深沟渠接触结构通过所述导体埋层与位于所述导体埋层下的所述基底电性连接；其中，所述的深沟渠绝缘结构包括衬垫层及绝缘材料，所述衬垫层形成于所述绝缘材料的底表面及侧壁上；所述的深沟渠接触结构包括障碍层及导电材料，所述障碍层位于所述的深沟渠接触结构所在的深沟渠的底部及侧壁上，所述导电材料填充在所述深沟渠中，所述绝缘材料包含未掺杂的多晶硅，所述深沟渠绝缘结构及绝缘材料上形成有一层间介电层；所述的深沟渠接触结构利用形成与元件电性连接的接触插塞的工艺形成；所述的深沟渠接触结构上端设有金属层。