| 发明名称 | 硅通孔检测结构及检测方法 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔检测结构及检测方法，所述硅通孔检测结构包括：半导体基底，位于所述半导体基底内的硅通孔；位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层；位于所述层间介质层表面的检测金属层，所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。利用所述检测电压检测所述硅通孔和检测金属层之间的击穿电压，所述检测金属层的电阻值，从而判断所述硅通孔表面是否存在铜突起，检测敏感、方便。 | ||
| 申请公布号 | CN103187398B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201110456998.2 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯军宏;甘正浩 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔检测结构，其特征在于，包括：半导体基底，位于所述半导体基底内的硅通孔；位于所述半导体基底和硅通孔表面且与所述半导体基底和硅通孔相接触的层间介质层；位于所述层间介质层表面且与所述层间介质层相接触的检测金属层，所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||