MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法，包括：提供MOS器件，包括设置于衬底上的栅极、源漏极以及栅极与源漏极之间设置的侧壁层；对所述MOS器件利用干法刻蚀掉部分侧壁层；对经过干法刻蚀后的MOS器件进行臭氧水浸渍；对经过臭氧水浸渍后的MOS器件进行湿法刻蚀。采用干法刻蚀实现在尚未对源漏极掺杂区域产生破坏时刻蚀掉部分侧壁层材料；臭氧水浸渍形成了掺杂区域表面的氧化硅保护膜，在湿法刻蚀时，磷酸和侧壁层的氮化硅材料反应以刻蚀掉侧壁层，而保护膜防止了磷酸对掺杂区域的刻蚀。本发明中，臭氧水浸渍和湿法刻蚀过程可以交替进行，以进一步保护掺杂区域。本发明在刻蚀侧壁层的同时保护了掺杂区域，避免了对MOS器件性能的损害。

主权项

一种MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法，包括：提供MOS器件，所述MOS器件包括衬底以及所述衬底上设置的栅极、源漏极以及栅极与源漏极之间设置的侧壁层；对所述MOS器件利用干法刻蚀刻蚀掉部分厚度的侧壁层；对经过干法刻蚀后的MOS器件进行臭氧水浸渍；对经过臭氧水浸渍后的MOS器件进行湿法刻蚀；其中，对MOS器件进行臭氧水浸渍的步骤和对MOS器件进行湿法刻蚀的步骤交替进行。