| 发明名称 | 一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，属于纳米材料技术领域。所述制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO<sub>4</sub>·H<sub>2</sub>O粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部，将碳布衬底放置在坩埚顶部；将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中，先以28-32℃/min的速率从室温升温至1300-1400℃，再以20-25℃/min的速率升温至1400-1500℃进行热解；热解后气氛烧结炉以12-75℃/min的速率先冷却至1080-1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。本发明制备方法简单可控，具有很好重复性，实现了在碳纤维布衬底上制备SiC纳米颗粒薄膜，实现了对SiC纳米颗粒薄膜的P掺杂，并实现了对P掺杂SiC纳米颗粒尺寸的有效调控。 | ||
| 申请公布号 | CN105161554A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510511223.9 | 申请日期 | 2015.08.19 |
| 申请人 | 宁波工程学院 | 发明人 | 陈善亮;高凤梅;王霖;郑金桔;杨为佑 |
| 分类号 | H01L31/028(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/028(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人 | 张向飞 |
| 主权项 | 一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO<sub>4</sub>·H<sub>2</sub>O粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部，将碳布衬底放置在坩埚顶部；将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中，先以28‑32℃/min的速率从室温升温至1300‑1400℃，再以20‑25℃/min的速率升温至1400‑1500℃进行热解；热解后气氛烧结炉以12‑75℃/min的速率先冷却至1080‑1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。 | ||
| 地址 | 315016 浙江省宁波市海曙区翠柏路59号 | ||