发明名称 蒸镀设备和蒸镀方法
摘要 本发明是关于一种蒸镀设备和蒸镀方法,属于镀膜技术领域。蒸镀设备包括:镀膜腔室和至少一个蒸发源腔室,镀膜腔室中设置有基片放置组件,第一蒸发源腔室中设置有蒸发源放置组件,蒸发源放置组件用于放置蒸发源,第一蒸发源腔室为至少一个蒸发源腔室中任一蒸发源腔室;镀膜腔室和第一蒸发源腔室之间设置有密封组件,密封组件打开时,镀膜腔室和第一蒸发源腔室连通,密封组件关闭时,镀膜腔室和第一蒸发源腔室隔断。本发明通过设置至少一个用于放置蒸发源的蒸发源腔室,且通过密封组件可以连通或隔断蒸发源腔室和镀膜腔室,解决了相关技术中,更换基片时空气会对蒸发源造成污染的问题;达到了避免空气污染蒸发源的效果。
申请公布号 CN105154832A 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201510666908.0 申请日期 2015.10.15
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 张鑫狄;孙俊民
分类号 C23C14/24(2006.01)I 主分类号 C23C14/24(2006.01)I
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人 鞠永善
主权项 一种蒸镀设备,其特征在于,所述蒸镀设备包括:镀膜腔室和至少一个蒸发源腔室,所述镀膜腔室中设置有基片放置组件,所述基片放置组件用于放置基片,第一蒸发源腔室中设置有蒸发源放置组件,所述蒸发源放置组件用于放置蒸发源,所述第一蒸发源腔室为所述至少一个蒸发源腔室中任一蒸发源腔室;所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室之间设置有密封组件,所述密封组件打开时,所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室连通,所述密封组件关闭时,所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室隔断。
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