发明名称 一种高效多晶硅铸锭的制备方法
摘要 本发明公开了一种高效多晶硅铸锭的制备方法,该制备方法使用DSS炉,所述DSS炉包括坩埚、加热器、隔热笼、控温热电偶TC1和测温热电偶TC2,包括以下步骤:(1)当硅料进入熔化阶段时,打开隔热笼,保持隔热笼的开度为5-40mm,控制控温热电偶TC1的温度为1530-1560℃;(2)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为30-50mm时,控制控温热电偶TC1的温度为1500-1540℃,使隔热笼的开度扩大5-65mm,并保持隔热笼的开度为40-70mm;(3)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为10-20mm时,熔化阶段结束,进入多晶硅长晶阶段,再经退火、冷却得到多晶硅铸锭。该方法可以使籽晶熔化更易控制,熔化界面更加平坦;制成的多晶硅籽晶保留面积更大,晶粒均匀,整锭硅片的平均电池效率可达17.9%以上,效率17.8%以上硅片比例大于80.0%。
申请公布号 CN105154970A 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201510572730.3 申请日期 2015.09.10
申请人 湖南红太阳光电科技有限公司 发明人 段金刚;明亮;谭晓松;瞿海斌;陈国红
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B28/06(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 马强
主权项  一种高效多晶硅铸锭的制备方法,该制备方法使用DSS炉,所述DSS炉包括坩埚、加热器、隔热笼、控温热电偶TC1和测温热电偶TC2,其特征在于,包括以下步骤:(1) 当硅料进入熔化阶段时,打开隔热笼,保持隔热笼的开度为5‑40mm,控制控温热电偶TC1的温度为1530‑1560℃;(2) 当坩埚底部未熔化的硅料厚度为30‑50mm时,控制控温热电偶TC1的温度为1500‑1540℃,使隔热笼的开度扩大5‑65mm,并保持隔热笼的开度为40‑70mm;(3) 当坩埚底部未熔化的硅料厚度为10‑20mm时,熔化阶段结束,进入多晶硅长晶阶段,再经退火、冷却得到多晶硅铸锭。
地址 410205 湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号