半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明之目的在于改善半导体装置的特性。 本发明之半导体装置构成为，于形成在基板S之上方的缓冲层（GaN）BU1、缓冲层（AlGaN）BU2、通道层CH及障壁层BA之中，具有： 沟槽T，贯通障壁层BA而到达至通道层CH的中途为止；闸极电极GE，隔着闸极绝缘膜GI而配置于该沟槽T内；以及源极电极SE及汲极电极DE，分别形成在闸极电极GE之两侧。而藉由到达至缓冲层BU1为止之贯通孔TH的内部之连接部VIA，将缓冲层BU1与源极电极SE电性连接。藉由在缓冲层BU1与缓冲层BU2之界面附近产生的二维电子气体2DEG2，可使阈值上升，改善常关特性。