半导体装置的制造方法;MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的一目的在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜电晶体的可靠性高的半导体装置。在包括将包括通道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜电晶体的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于闸极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气围下缓冷却。除了在闸极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜之间的介面的水分等杂质。