发明名称 半导体器件和在TSV转接板中形成开口腔以在WLCSMP中容纳半导体裸片的方法
摘要 通过将半导体晶圆安装到临时载体而制造半导体器件。形成穿过该晶圆的多个TSV。形成部分穿过该晶圆的空腔。将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上。将该第一和第二裸片安装到该晶圆以便该第一裸片被置于该晶圆上方并被电连接到该TSV,且该第二裸片被置于该空腔内。在该晶圆和第一及第二裸片上方沉积密封剂。除去该密封剂的一部分以暴露该第一裸片的第一表面。除去该晶圆的一部分以暴露该TSV和该第二裸片的表面。该晶圆的剩余部分作为用于该第一和第二裸片的TSV转接板而工作。在该TSV转接板上方形成互连结构。
申请公布号 CN102034718B 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201010294420.7 申请日期 2010.09.21
申请人 新科金朋有限公司 发明人 H·基;N·仇;H·辛
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 臧霁晨;高为
主权项 一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供半导体晶圆;形成穿过所述半导体晶圆的多个导电通孔;在所述半导体晶圆中形成第一空腔;将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上;将所述第一和第二半导体裸片安装到所述半导体晶圆上以便所述第一半导体裸片被置于所述半导体晶圆上方并被电连接到所述导电通孔,且所述第二半导体裸片被置于所述第一空腔内;在所述半导体晶圆上方并围绕所述第一和第二半导体裸片沉积密封剂;除去所述半导体晶圆的一部分以暴露所述导电通孔和所述第二半导体裸片的第一表面,以致于所述半导体晶圆的剩余部分作为用于所述第一和第二半导体裸片的转接板而工作;以及在所述转接板上方形成第一互连结构。
地址 新加坡新加坡市