| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图形成的鳍片；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。根据本发明的实施例，通过所述阻挡区，可以有利地防止鳍片底部的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103000664B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201110265211.4 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体层；对所述半导体层构图形成的鳍片，其中所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区，其中，对于p型器件，所述阻挡区包括n型掺杂剂；对于n型器件，所述阻挡区包括p型掺杂剂；隔离层，位于所述半导体层上鳍片两侧，其中所述阻挡区的顶面高于所述隔离层的顶面；以及在隔离层上形成的跨于所述鳍片上的栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||