| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的沟槽，所述沟槽的底部为V形；位于所述沟槽内的应力层。相应的，本发明的实施例还提供了一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底表面的栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽的底部为V形；在所述沟槽内形成应力层。本发明实施例中底部为V形的沟槽中填充应力层，可以为沟道区带来更大的应力，有助于提高沟道区载流子的迁移率，增加晶体管的驱动电流，提高晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103094340B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201110340617.4 | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金;三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；其特征在于，还包括：位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的沟槽，所述沟槽的底部为V形；位于所述沟槽内的应力层，所述应力层包括：覆盖所述沟槽全部内壁表面的过渡层，所述过渡层中Ge或C的原子百分比含量为0％‑25％，且所述过渡层中Ge或C的原子百分比含量为0％‑25％中一个特定的值，或者为由0％‑25％中的一个范围；位于所述过渡层表面且与所述沟槽的表面齐平的本征层，所述过渡层产生的应力小于所述本征层产生的应力。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||