| 发明名称 | 使用温度可控的限制环的刻蚀装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种使用温度可控的限制环的刻蚀装置，所述限制环包括：限制部件，为圆环形，用于限制刻蚀气体流动范围；控温部件，用于控制刻蚀气体的温度，所述控温部件位于所述限制部件的外周。所述控温部件包括用于加热的加热管和用于冷却的冷却管。在刻蚀过程中，通过调节限制环的温度，提高晶圆表面的刻蚀均匀性，从而提高了半导体器件的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN103177954B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201110443713.1 | 申请日期 | 2011.12.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 符雅丽;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种使用温度可控的限制环的刻蚀装置，所述限制环包括：限制部件，为圆环形，用于限制刻蚀气体流动范围；控温部件，用于控制刻蚀气体的温度，所述控温部件位于所述限制部件的外周，所述控温部件是一个温度控制环，所述控温部件包括用于加热的加热管和用于冷却的冷却管；所述刻蚀装置提高晶圆刻蚀均匀性。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||