一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

摘要

本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N^-外延层，第一碳化硅N^-外延层中的埋介质槽，第二碳化硅N^-外延层，位于第二碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质。本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。

主权项

一种碳化硅VDMOS器件，包括自下而上依次设置的金属漏电极(12)、N⁺衬底(11)、第一N^‑外延层(10)和第二N^‑外延层(8)；所述第二N^‑外延层(8)上层一端具有第一Pbase区(7)，其上层另一端具有第二Pbase区(71)；所述第一Pbase区(7)中具有相互独立的第一N⁺源区(6)和第一P⁺接触区(5)；所述第二Pbase区(71)中具有相互独立的第二N⁺源区(61)和第二P⁺接触区(51)；所述第一N⁺源区(6)和第一P⁺接触区(5)上表面具有第一金属源电极(3)；所述第二N⁺源区(61)和第二P⁺接触区(51)上表面具有第二金属源电极(31)；所述第一金属源电极(3)和第二金属源电极(31)之间具有栅极结构；所述栅极结构由栅氧化层(4)、位于栅氧化层(4)上表面的多晶硅栅(2)和位于多晶硅栅(2)上表面的栅电极(1)构成；所述第一N^‑外延层(10)中具有埋介质槽(9)，所述埋介质槽(9)位于第一Pbase区(7)和第二Pbase区(71)之间的第二N^‑外延层(8)下表面。