一种氮化物系发光二极管

摘要

本发明公开一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上依次设置有非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN，在所述限制层P-AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成核层，在所述V型坑成核层上设置有V型坑三维快速层，在所述V型坑三维快速层上设置有V型坑二维快速层，在所述V型坑二维快速层上依次设置有P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。

主权项

一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，其特征在于：在所述衬底上依次设置有非掺层u‑GaN、n型导电层n‑GaN、有源区和限制层P‑AlGaN，在所述限制层P‑AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成核层，在所述V型坑成核层上设置有V型坑三维快速层，在所述V型坑三维快速层上设置有V型坑二维快速层，在所述V型坑二维快速层上依次设置有P型导电层、P型接触层和ITO导电层。