一种磁隧道结纳米单元结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种磁隧道结纳米单元结构及其制备方法。该方法包括：在基片上制备底电极；在底电极上覆盖电绝缘材料，形成绝缘层；利用聚焦离子束(Focus Ion Beam,FIB)铣蚀绝缘层得到纳米级开孔；在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，形成磁隧道结纳米单元；其中，功能层通过所述纳米级开孔与底电极形成纳米级接触，与顶电极形成微米级接触。本发明在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，减少了一次光刻步骤，且不涉及电子束光刻，能大幅降低成本，同时有效避免现有工艺中对功能层刻蚀可能造成的侧壁再沉积、自由层与钉扎层短路、膜层材料损伤等导致的器件性能退化甚至失效的问题。

主权项

一种磁隧道结纳米单元结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在基片上制备底电极；(2)在底电极上覆盖电绝缘材料，形成绝缘层；(3)铣蚀绝缘层得到纳米级开孔；(4)在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，形成磁隧道结纳米单元；其中，功能层通过所述纳米级开孔与底电极形成纳米级接触，功能层与顶电极形成微米级接触。