通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器

摘要

公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法，该方法包括：在基板上生长第一芯层结构；在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构；并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3-14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。还公开了一种能够生成中红外激光辐射的激光源，该激光源包括量子级联芯层和第二芯层，量子级联芯层定位在基板上，用于在3-14μm的范围内发射，第二芯层在基板上，在平面内相对于第一芯层定位。第二芯层是下列之一：a)无源波导芯层、b)第二量子级联芯层、以及c)半导体有源芯层区域。

主权项

一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法，所述方法包括：在基板上生长和/或沉积第一芯层结构；在所述基板的一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构；和在所述基板上的所述一个或多个位置中的至少一个上生长和/或沉积第二芯层结构，其中，所述第一芯层结构和第二芯层结构中的至少一个包括第一量子级联增益介质，所述第一量子级联增益介质被构造为产生以3‑14μm的范围内的第一中心频率发射的子带间跃迁。