发明名称 |
扇出型晶圆级封装方法 |
摘要 |
本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法,包括:提供一载体,在载体表面形成粘合层;将至少一半导体芯片正面朝上贴装于粘合层表面;采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中,并同时在塑封材料层内形成与后续要形成的连接通孔及重新布线层相对应的开口;在开口内形成连接通孔及重新布线层。本发明采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中,并同时在塑封材料层内形成与连接通孔及重新布线层相对应的开口,减少了涂覆介电层、光刻RDL层等工艺步骤,有效地降低了生产成本,且整个工艺过程中步骤简单,可以大大提高产品的产量,在半导体封装域具有广泛的应用前景。 |
申请公布号 |
CN105161433A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510629484.0 |
申请日期 |
2015.09.28 |
申请人 |
中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
发明人 |
林正忠;蔡奇风 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种扇出型晶圆级封装方法,其特征在于,所述扇出型晶圆级封装方法至少包括:提供一载体,在所述载体表面形成粘合层;将至少一半导体芯片正面朝上贴装于所述粘合层表面;采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中,并同时在所述塑封材料层内形成与后续要形成的连接通孔及重新布线层相对应的开口;在所述开口内形成连接通孔及重新布线层。 |
地址 |
214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号 |