半导体装置中使用替代金属闸程序以形成自我对准接触窗之方法;METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS USING A REPLACEMENT METAL GATE PROCESS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

于此所揭露之技术提供一种闸极节距微缩解决方法，其用在替代金属闸极制作方案中产生源极/汲极接触窗。此技术提供一种自我对准接触窗制程，其保护闸极电极不受到由于蚀刻未对准之图案所产生之短路影响。本文之技术提供一种藉由在RMG形成结构的非平面之表面形貌上方沉积半保形材料而形成之双层覆盖层，并利用选择性蚀刻及平坦化以产生双层保护覆盖层，而不使深宽比过度增大。