发明名称 | 半导体基片用的抛光剂 | ||
摘要 | 本发明涉及一种抛光剂,它包括一种溶液和该溶液中悬浮的抛光砂粒。这种抛光剂的特点在于,抛光砂粒子主要由一种玻璃转化温度为T<SUB>G</SUB>的基质组成,并且抛光砂粒含有一种掺杂剂。而且该掺杂剂浓度的确定应使掺杂后的物质的玻璃转化温度T<SUB>G</SUB>'低于未掺杂基质的玻璃转化温度T<SUB>G</SUB>。这种抛光剂可应用于无微擦痕地磨平半导体基片或涂于其上的涂层。 | ||
申请公布号 | CN1265131A | 申请公布日期 | 2000.08.30 |
申请号 | CN98807509.1 | 申请日期 | 1998.07.21 |
申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | S·布拉德尔;O·海茨施 |
分类号 | C09G1/02;C09K3/14;//(H01L21/302) | 主分类号 | C09G1/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;温宏艳 |
主权项 | 1.一种含溶液和该溶液中的悬浮抛光砂粒的抛光剂,其特征在于,-抛光砂粒主要由玻璃转化温度为TG的基质组成,-抛光砂粒含有一种掺杂剂,-其中掺杂剂的浓度的确定应使掺杂后的物质的玻璃转化温度TG’低于未掺杂的基质的玻璃转化温度TG。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |