Silicon Single Crystal Wafer Process for Producing Silicon Single Crystal Wafer and Method for Evaluating Silicon Single Crystal Wafer

摘要

본 발명은, 적어도, 실리콘 단결정 잉곳을 준비하는 공정; 상기 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스하여 슬라이스 기판을 복수매 제작하는 공정; 상기 복수매의 슬라이스 기판에, 래핑·에칭·연마 중 적어도 하나를 행하여 복수매의 기판으로 가공하는 가공 공정; 상기 복수매의 기판에서 적어도 1매를 추출하는 공정; 상기 추출 공정에서 추출한 기판의 표면 거칠기를 AFM으로 측정하고, 파장 20 nm∼50 nm에 대응하는 주파수대의 진폭(강도)을 구해 합격 여부를 판정하는 공정; 및 상기 판정이 합격인 경우는 다음 공정으로 넘기고, 불합격인 경우는 재가공을 하는 공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 의해, 게이트 산화막의 두께가 수 nm로 얇은 경우라도 GOI의 열화가 없는 실리콘 단결정 웨이퍼와 그 제조방법, 및 GOI 열화가 없는 것을 TDDB법 등에 비해 용이하게 평가할 수 있는 평가방법이 제공된다.