| 摘要 |
<p>Die Ausführungsformen hierin betreffen Verfahren und Vorrichtungen zum Galvanisieren eines oder mehrerer Materialien auf ein Substrat. In vielen Fällen ist das Material ein Metall und das Substrat (145) ist ein Halbleiter-Wafer aber die Ausführungsformen sind nicht derart eingeschränkt. In der Regel nutzen die Ausführungsformen hierin eine perforierte Platte (150) in der Nähe des Substrats (145), einen Querstrom-Sammelkanal (226) nach unten definiert durch die perforierte Platte (150), auf der Oberseite durch das Substrat (145) definiert und auf den Seiten von einem Querstrom-Begrenzungsring (210). Während des Galvanisierens tritt Fluid in den Querstrom-Sammelkanal (226) ein, sowohl nach oben durch die in der perforierten Platte (150) befindlichen Kanäle (910) als auch lateral durch einen seitlichen Querstrom-Einlass (250) der an einer Seite des Querstrom-Begrenzungsrings (210) positioniert ist. Die Strömungspfade kombinieren sich in dem Querstrom-Sammelkanal und treten am Querstrom-Auslass (234) aus, der gegenüber dem Querstrom-Einlass (250) positioniert ist. Durch diese Kombination von Strömungspfaden wird eine verbesserte Gleichmäßigkeit beim Galvanisieren erreicht.</p> |
