ETCHING METHOD, ETCHING SOLUTION USED IN SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

摘要

저마늄(Ge)을 포함하는 제1 층과, 니켈플래티넘(NiPt), 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 코발트(Co)로부터 선택되는 적어도 1종의 특정 금속 원소를 포함하는 제2 층을 갖는 반도체 기판에 대하여, 제2 층을 선택적으로 제거하는 에칭 방법으로서, 논할로젠 산성 화합물을 포함하는 에칭액을 제2 층에 접촉시켜 제2 층을 제거하는 반도체 기판의 에칭 방법.