半導体ナノ粒子集積構造体

摘要

本発明は、半導体ナノ粒子を集積化しても輝度の低下が少ない、高輝度の半導体ナノ粒子集積構造体を得ることを目的としている。本発明の半導体ナノ粒子集積構造体は、複数の第１の半導体ナノ粒子を集積してなる内部構造体と、該内部構造体を被覆する、複数の第２の半導体ナノ粒子を集積してなる外部構造体とを含み、該第１の半導体ナノ粒子が、該第２の半導体ナノ粒子より小さいバンドギャップを有する。