| 摘要 |
ｎ-ドリフト層となる半導体基板の内部には、裏面側の表面層にｐ+コレクタ層が設けられ、裏面側のｐ+コレクタ層よりも深い領域に複数のｎ+層からなるｎ+フィールドストップ層が設けられる。半導体基板のおもて面におもて面素子構造を形成した後、半導体基板の裏面に、ｎ+フィールドストップ層を形成する深さに対応した加速電圧でプロトン照射を行う（ステップＳ５）。次に、第１アニールによってプロトン照射に対応したアニール温度でプロトンをドナー化し、フィールドストップ層を形成する（ステップＳ６）。複数回のプロトン照射の条件に適合したアニール条件を用いてアニールすることにより、各プロトン照射により形成された各結晶欠陥を回復させて高いキャリア濃度の領域を複数形成することができる。また、漏れ電流増加等の電気特性不良を改善することができる。 |
