| 摘要 |
ＴＳＤ起源の部分転位が存在する基板上に、ＶＰＥ法を用いて単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜を形成するに際して、ＴＳＤ起源の部分転位がＴＳＤに再変換されることを抑制することができる単結晶ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法および単結晶ＳｉＣエピタキシャル基板を提供する。貫通螺旋転位起源のＦｒａｎｋ型の積層欠陥を伴った部分転位が内在する単結晶ＳｉＣ基板上に、気相成長法によって単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する単結晶エピタキシャル基板の製造方法であって、気相成長法による単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜の成長初期に、単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜に伝播された部分転位の間隔を広げることにより、部分転位を、貫通螺旋転位に再変換させることなく、単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜に伝播させる単結晶ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。 |
