| 主权项 |
1.一种用来将一电浆局限在一基材处理室内的设备,其至少包含:一上区段,其具有一环形电极安装表面;及一下区段,其与该上安装区段一体形成并具有一内环形局限壁及一外环形局限壁。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该内环形局限壁在垂直方向上以一角度朝向该外环形局限壁发散。3.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该设备包含铝合金或相容的金属合金。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该下区段的该内局限壁系以一介于30度至70度的角度发散于垂直方向上。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该下区段的该内局限壁系以45度的角度发散于垂直方向上。6.如申请专利范围第1项所述之设备,其更包含一莲蓬头电极,藉此该上安装表面被设置成与该莲蓬头电极相邻以提供两者之间一良好的电气联通。7.一种用来输送一处理气体至一基材处理室中的设备,其至少包含:一气体输送组件,其具有一气体入口及一气体出口;及一环形件,其包含一具有一电极安装表面的上区段,及一下区段其与该上安装区段一体形成并具有一内环形局限壁及一外环形局限壁,其中该内环形局限壁在垂直方向上以一角度朝向该外环形局限壁发散。8.如申请专利范围第7项所述之设备,其中该下区段的该内局限壁系以一介于30度至70度的角度发散于垂直方向上。9.如申请专利范围第7项所述之设备,其中该气体入口包含一给气筒其具有至少一穿孔形成于其上。10.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该给气筒系连接至一电源供应器。11.如申请专利范围第7项所述之设备,其更包含一挡板其具有多个穿孔形成于其上且其是被设置在气体入口上。12.如申请专利范围第7项所述之设备,其中该气体出口包含一面板其具有多个穿孔形成于其上。13.如申请专利范围第12项所述之设备,其中该电极安装表面系藉由一或多个固定件而被连接至该面板上。14.如申请专利范围第13项所述之设备,其中该电极安装表面与该面板的一下表面相搭配用以提供它们之间一良好的电气联通。15.如申请专利范围第13项所述之设备,其中该环形件为该面板的一整体部件。16.一种用来将一电浆局限在一基材处理室内的设备,其至少包含:一环形件其具有一上安装表面,一内局限壁,及一外局限壁。17.如申请专利范围第16项所述之设备,其更包含一莲蓬头电极,藉此该上安装表面被设置成与该莲蓬头电极相邻以提供两者之间一良好的电气联通。18.如申请专利范围第17项所述之设备,其中该内局限壁在垂直方向上朝向该外局限壁发散。19.如申请专利范围第17项所述之设备,其中该下区段的该内局限壁系以一介于30度至70度的角度发散于垂直方向上。20.如申请专利范围第17项所述之设备,其中该下区段的该内局限壁系以45度的角度发散于垂直方向上。21.一种用来输送一处理气体至一基材处理室中的设备,其至少包含:一气体输送组件,其具有一气体入口及一气体出口;及一环形件,其具有一上安装表面,一内局限壁,及一外局限壁,其中该内局限壁在垂直方向上朝向该外局限壁发散。22.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该下区段的该内局限壁系以一介于30度至70度的角度发散于垂直方向上。23.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该气体入口包含一给气筒其具有至少一穿孔形成于其上。24.如申请专利范围第23项所述之设备,其中该给气筒系连接至一电源供应器。25.如申请专利范围第21项所述之设备,其更包含一挡板其具有多个穿孔形成于其上且其是被设置在气体入口上。26.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该气体出口包含一面板其具有多个穿孔形成于其上。27.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该电极安装表面系藉由一或多个固定件而被连接至该面板上。28.如申请专利范围第26项所述之设备,其中该环形件为该面板的一整体部件。29.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该电极安装表面与该面板的一下表面相搭配用以提供它们之间一良好的电气联通。30.一种处理室,其至少包含:一室本体,其界定一处理腔穴;一基材支撑件,其被设置在该处理腔穴内;一气体输送组件,其具有至少一气体入口及至少一气体出口;及一环形件,其包含一具有一环形电极安装表面的上区段,及一下区段其与该上安装区段一体形成并具有一内环形局限壁及一外环形局限壁,其中该内局限壁在垂直方向上朝向该外局限壁发散。31.如申请专利范围第30项所述之处理室,其中该下区段的该内局限壁系以一介于30度至70度的角度发散于垂直方向上。32.如申请专利范围第30项所述之处理室,其中该电极安装表面被设置成与该气体输送组件相邻以提供两者之间一良好的电气联通。33.如申请专利范围第30项所述之处理室,其中该环形件系藉由一或多个固定件而连接至该气体输送系统。34.一种处理室,其至少包含:一室本体,其界定一处理腔穴;一基材支撑件,其被设置在该处理腔穴内;一气体输送系统,其具有一环形件安装于其上,该环形件具有一上安装表面,一内局限壁,及一外局限壁,其中该内局限壁在垂直方向上朝向该外局限壁发散。35.如申请专利范围第34项所述之处理室,其中该内局限壁系以一介于30度至70度的角度发散于垂直方向上。36.如申请专利范围第34项所述之处理室,其中该环形件的上安装表面被设置成与该气体输送系统相邻以提供两者之间一良好的电气联通。37.如申请专利范围第34项所述之处理室,其中该环形件系藉由一或多个固定件而连接至该气体输送系统。图式简单说明:第1图为一传统的介电质沉积室的剖面图。第2图为在一使用一如第1图所示的传统室处理过的基材上的电浆电荷密度图案。第3图为设在美国加州Santa Clara市的Applied Materials公司所制造CVD DxZ室的剖面图,其具有一电极延伸件。第4图为第3图中之气体输送组件的分解剖面图。第5图为一气体输送系统的剖面图,其显示一电极延伸件的另一实施例。第6图为在一使用一环形电极延伸设备处理过的基材上的电浆电荷密度图案。 |
