制造半导体雷射发光装置之方法

摘要

在发射具有二不同波长的雷射光之半导体雷射发光装置的制造时，将层板薄膜的表面阶梯移除，层板薄膜的形成系用于遮盖第一半导体雷射发光装置及构成第二半导体雷射发光装置，以致于实现高精密度的处理。一种制造半导体雷射发光装置之方法，半导体雷射发光装置包括第一与第二半导体雷射发光装置，其形成在一基材上且个别振荡发射不同波长的雷射光，方法包括：在基材上，于一将形成第一半导体雷射发光装置的区域中堆叠三系统复合半导体，藉以形成第一层板；形成一第二层板于基材上，第二层板由四系统复合半导体组成，以致于第二层板遮盖第一层板；使第二层板之表面平面化「以致于第一层板之表面暴露于外部；在覆盖层中形成电流注入区域；形成一电流限制区域；及使第一层板和第二层板分离，藉以在层板之间形成一空间。

主权项

1.一种制造半导体雷射发光装置之方法,半导体雷射发光装置包括一第一半导体雷射发光装置与一第二半导体雷射发光装置,其形成在一基材上且个别振荡发射不同波长的雷射光,方法包括下列步骤:在该基材上堆叠一复合半导体层,其构成该第一半导体雷射发光装置,藉以形成一第一层板;移除该第一层板,以致于在将形成该第一半导体雷射发光装置之区域中的第一层板部分保留;在该基材上堆叠一复合半导体层,其构成该第二半导体雷射发光装置,藉以形成一第二层板;移除形成在该第一层板上的第二层板,藉以使该第一层板之一表面暴露于外部,且使该第二层板之一表面平面化;在该第一与第二层板中个别形成脊形的电流注入区域;在该电流注入区域以外的第一与第二层板部分上选择性形成一电流限制层;及在该电流限制层中与该第一层板和该第二层板之间形成一空间,藉以使该第一层板和该第二层板分离。图式简单说明:图1A至1H系示意剖视图,绘示依据本发明一实施例的制造半导体雷射发光装置之方法;图2A至2H系示意剖视图,绘示制造半导体雷射发光装置之传统方法。