縦型高耐圧半導体装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法

摘要

炭化珪素縦型ＭＯＳＦＥＴは、基板の表面に形成された低濃度の層に選択的に形成された第２の半導体層ベース層以外の表面層に形成された第１導電型のＮ打ち返し層（６）と、第１導電型のソース領域と第１導電型のＮ打ち返し層（６）とに挟まれた、第２導電型の第３の半導体層の表面露出部上の少なくとも一部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極層と、ソース領域と第３の半導体層との表面に共通に接触するソース電極を有しており、第２導電型半導体層の一部をＮ打ち返し層（６）の下の領域で結合する。これによって、ＳｉＣ等を半導体材料とした縦型ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗を利用しつつ、高電圧印加時においても、ゲート電極を形成する酸化膜の破壊を防止して信頼性を向上させることができる。