| 摘要 |
基板上において、一対の３ｄＢカプラ及び複数の入出力導波路を形成して２?２のマッハツェンダ型光スイッチに相当する光機能素子を製造する。また、一対の３ｄＢカプラの間に配置された一対の導波路の上に一対の光位相変調路を形成する。基板において、所定の電気的極性を有するソース領域及びドレイン領域を形成し、両者の間に反対の電気的極性を有するチャンネル領域を形成する。光位相変調路は周囲から絶縁されており、チャンネル領域の上方に配置される。更に、高密度ドープされた制御電極（ゲート領域）が光位相変調路の上方に形成される。制御電極、ソース領域、及びドレイン領域に所定極性の電圧を印加することにより光位相変調路近傍においてホットキャリアを発生して電荷を蓄積させて屈折率を変化させて所望の光波入出力経路を設定する。その後、制御電極とソース領域との間に反対極性の電圧を印加することにより光位相変調路の蓄積電荷を放出させて屈折率を元の状態に戻して光波入出力経路を消去する。 |
