发明名称 |
RF RF RETURN STRAP FOR USE IN PLASMA PROCESSING APPARATUS |
摘要 |
<p>플루오르 및 산소 라디칼과 같은 플라즈마 발생 라디칼로부터 RF 스트랩을 보호하기 위해 플라즈마 챔버에서 이용되는 플렉시블 폴리머 또는 엘라스토머 코팅된 RF 리턴 스트랩, 및 플라즈마 프로세싱 장치에서 입자 오염이 감소된 반도체 기판을 프로세싱하는 방법이 개시된다. 코팅된 RF 스트랩은 입자 발생을 최소화하고, 코팅되지 않은 베이스 컴포넌트보다 더 낮은 부식률을 나타낸다. 전도성 플렉시블 베이스 컴포넌트 상에 플렉시블 코팅을 갖는 이러한 코팅된 부재는 조정가능 갭 용량 결합형 플라즈마 리액터 챔버에서 하나 이상의 전극의 이동을 허용하도록 구성되는 RF 접지 리턴을 제공한다.</p> |
申请公布号 |
KR101577474(B1) |
申请公布日期 |
2015.12.14 |
申请号 |
KR20107017612 |
申请日期 |
2009.02.06 |
申请人 |
램 리써치 코포레이션 |
发明人 |
카드코데이얀 바비;맥체스니 존;페이프 에릭;딘드사 라진더 |
分类号 |
H01L21/203;H01L21/205;H01L21/265;H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/203 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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