| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de texturation d'un substrat semi-conducteur (1) comprenant des étapes consistant à former dans un masque de gravure (2), par gravure ionique réactive non homogène, une pluralité de cavités de formes, profondeurs et distribution aléatoires, formant un premier motif rugueux aléatoire, et graver le substrat par l'intermédiaire du masque de gravure, par gravure ionique réactive, de manière à transférer le premier motif rugueux aléatoire dans le substrat et obtenir à la surface du substrat un second motif rugueux aléatoire (200) composé de cavités (20) de formes, profondeurs (d2r) et distribution aléatoires. |
